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石英精餾塔在四氯化硅（SiCl?）精餾中應用
石英（主要成分SiO?）在四氯化硅精餾中，也是其不可替代的原因，在于其的金屬惰性和純度。
消除金屬污染源：即使采用經過電解拋光（EP）處理的高品質不銹鋼（如316L），在長期與高溫、含氯的SiCl?及其中痕量HCl接觸后，仍有極微量金屬離子（如Fe、Cr、Ni）溶出的風險。對于光纖預制棒等應用，任何痕量的過渡金屬離子（如Fe、Cu、Cr）都會極大地增加光纖的光衰減，是絕對不允許的。石英材質從根本上杜絕了這種污染。
耐腐蝕性：石英對SiCl?、HCl以及其混合體系具有優良的化學穩定性，不發生腐蝕。
石英精餾塔并非SiCl?精餾的主流選擇，而是用于最終端的超高純產品精制階段：
光纖級四氯化硅（用于制造二氧化硅預制棒）：這是石英塔最典型、最主要的應用領域。光纖對傳輸損耗要求，痕量的金屬雜質是導致光信號衰減的關鍵因素。因此，在生產光纖核心原料——超高純SiCl?的最后一道精餾工序中，普遍使用石英塔。
半導體級硅外延沉積的特定前驅體：在少數對金屬雜質控制要求超越常規電子級的特殊半導體工藝中，可能會使用石英塔精制的SiCl?。
其系統組成與不銹鋼填料塔類似，但材質和部分設計有特殊之處：
塔體：
由高純度透明石英玻璃制成。
結構通常為法蘭連接的多段式，便于制造、運輸和內部填料的裝填。
法蘭密封是關鍵技術點，通常使用高純度氟橡膠O型圈或柔性石墨墊片，并在外圍采用水冷夾套進行冷卻，防止密封件因高溫失效。
內部構件：
填料：同樣使用規整填料，但材質是石英。石英規整填料的制造難度和成本遠高于金屬填料。
分布器/再分布器：也由石英玻璃精心吹制而成，結構通常比金屬件更簡單，以確保強度和分布的均勻性。
塔釜：通常是一個石英玻璃的蒸發器，外部用電加熱套或紅外加熱器進行加熱。由于石英導熱性不如金屬，加熱需要特別均勻以避免熱應力破裂。
輔助系統：
加熱系統：避免明火直接加熱，采用電加熱套或遠紅外加熱器，以實現均勻、可控的加熱，防止石英因局部過熱而破裂。
保溫：使用柔軟、輕質的保溫材料（如陶瓷纖維毯）包裹塔體，避免對石英設備產生機械應力。
真空系統：同樣需要干式真空泵，要求更高，確保系統平穩運行，避免壓力劇烈波動對脆弱石英設備造成沖擊。
